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질화 알루미늄 부품
반도체 장비용 AlN 부품
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  • 열전도·열방사율이 크고, 균열성이 높다.
  • 열충격에 강하고, 급열·급냉에 견딜 수 있다.
  • Si와 일치하는 저열팽창.
  • 불소계 가스 내식성이 우수하다.
반도체 제조 장치(전공정용)는 디자인 룰 미세화와 웨이퍼 대구경화(300mmφ 이상)에의 대응이 요구되고 있습니다. 
이를 위해서는 장비를 구성하는 부품의 재료를 선택하는 것이 매우 중요합니다.

질화알루미늄(AlN)은 열전도성·열방사성(방열), 내열충격성, 전기절연성이 뛰어나 Si 웨이퍼에 매치한 열팽창을 가지는 특성의 밸런스가 좋은 재료입니다.
550mmφ와 세계 최대 클래스의 질화 알루미늄 부품도 제조 가능합니다. 웨이퍼의 대구경화에도 대응해 옵니다. 또 소재로의 제공도 하고 있습니다.

  • 반도체 제조 장치용(CVD, 에칭 등) 서셉터 각종, 정전 척, 히터 균열판, 진공 척, 히터
  • 더미 웨이퍼
  • 타깃
  • 화합물 반도체 제조 장치용 부품

품목Grade
FAN-090FAN-170FAN-200FAN-230
열전도율W/m·K(RT)90170200230
열방사율(100℃)0.93
열팽창 계수10 -6 /℃(RT~400℃)4.5
내열충격ΔT(수중낙하)400(문헌치)
절연 저항Ωcm(RT)>10 13
절연 내압kV/mm(RT)15
유전율(1MHz)8.8
유전 손실10 -4 (1MHz)5
굽힘 강도MPa250~300300~400
밀도g/cm 33.23.3
Y(이트륨)%0.03.4
O(산소)%0.61.7
특징고순도일반고열 전도고열 전도
 
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